R Alisation D Un Ensemble Automatis De Mesures D Admittance

Realisation d'un ensemble automatise de mesures d'admittance : application a l'etude des diodes Schottky Al-AsGa et Ysi1,7-Si

REALISATION D'UN ENSEMBLE AUTOMATISE DE MESURES D'ADMITTANCE

LA COMPREHENSION DE LA STRUCTURE METAL-SEMICONDUCTEUR FAIT L'OBJET DE NOMBREUSES ETUDES, DEPUIS LONGTEMPS, TANT SUR LE PLAN THEORIQUE QU'EXPERIMENTAL. LE MEMOIRE PRESENCE L'ETUDE DE LA DIODE SCHOTTKY M/SC PAR MESURE D'ADMITTANCE PRINCIPALEMENT SOUS POLARISATION DIRECTE POUR DETERMINER ET COMPARER LES DISTRIBUTIONS D'ETATS D'INTERFACE OBTENUES POUR QUELQUE SYSTEME TYPIQUE. EN PARTICULIER, LES MESURES D'ADMITTANCES SONT ETENDUES ICI POUR LA PREMIERE FOIS JUSQU'A 0,1 HZ. LE TRAVAIL EST DIVISE EN TROIS PARTIES: LA PREMIERE PARTIE DONNE LES PRINCIPES ET DECRIT LES CARACTERISTIQUES D'UN ENSEMBLE AUTOMATISE CONSTRUIT AU COURS DE CETTE THESE PERMETTANT LA MESURE ET L'ADMITTANCE JUSQU'A 0,1 HZ (RC10##4); LA DEUXIEME PARTIE EST UNE ANALYSE THEORIQUE. D'UNE PART, DE L'EFFET DES ETATS D'INTERFACE, SUR LA CAPACITE ET LA CONDUCTANCE DE LA DIODE EN FONCTION DE LA POLARISATION, LA FREQUENCE ET LA TEMPERATURE. D'AUTRE PART, DES PHENOMENES DE TRANSPORT SOUS POLARISATION DIRECTE, EN TENANT COMPTE DES PORTEURS ET MAJORITAIRES DANS LA ZONE QUASINEUTRE; LA TROISIEME PARTIE EST LA SYNTHESE DES RESULTATS EXPERIMENTAUX, METTANT EN EVIDENCE LA VARIATION DES CARACTERISTIQUES DES ETATS D'INTERFACE EN FONCTION DU MODE DE PREPARATION DE LA SURFACE DU SEMICONDUCTEUR AVANT LE DEPOT DU METAL, ET EXPLIQUANT LE COMPORTEMENT INDUCTIF DE LA STRUCTURE SOUS POLARISATION DIRECTE.

Réalisation d'un ensemble automatisé de mesures d'admittance

LA COMPREHENSION DE LA STRUCTURE METAL-SEMICONDUCTEUR FAIT L'OBJET DE NOMBREUSES ETUDES, DEPUIS LONGTEMPS, TANT SUR LE PLAN THEORIQUE QU'EXPERIMENTAL. LE MEMOIRE PRESENCE L'ETUDE DE LA DIODE SCHOTTKY M/SC PAR MESURE D'ADMITTANCE PRINCIPALEMENT SOUS POLARISATION DIRECTE POUR DETERMINER ET COMPARER LES DISTRIBUTIONS D'ETATS D'INTERFACE OBTENUES POUR QUELQUE SYSTEME TYPIQUE. EN PARTICULIER, LES MESURES D'ADMITTANCES SONT ETENDUES ICI POUR LA PREMIERE FOIS JUSQU'A 0,1 HZ. LE TRAVAIL EST DIVISE EN TROIS PARTIES: LA PREMIERE PARTIE DONNE LES PRINCIPES ET DECRIT LES CARACTERISTIQUES D'UN ENSEMBLE AUTOMATISE CONSTRUIT AU COURS DE CETTE THESE PERMETTANT LA MESURE ET L'ADMITTANCE JUSQU'A 0,1 HZ (RC10##4); LA DEUXIEME PARTIE EST UNE ANALYSE THEORIQUE. D'UNE PART, DE L'EFFET DES ETATS D'INTERFACE, SUR LA CAPACITE ET LA CONDUCTANCE DE LA DIODE EN FONCTION DE LA POLARISATION, LA FREQUENCE ET LA TEMPERATURE. D'AUTRE PART, DES PHENOMENES DE TRANSPORT SOUS POLARISATION DIRECTE, EN TENANT COMPTE DES PORTEURS ET MAJORITAIRES DANS LA ZONE QUASINEUTRE; LA TROISIEME PARTIE EST LA SYNTHESE DES RESULTATS EXPERIMENTAUX, METTANT EN EVIDENCE LA VARIATION DES CARACTERISTIQUES DES ETATS D'INTERFACE EN FONCTION DU MODE DE PREPARATION DE LA SURFACE DU SEMICONDUCTEUR AVANT LE DEPOT DU METAL, ET EXPLIQUANT LE COMPORTEMENT INDUCTIF DE LA STRUCTURE SOUS POLARISATION DIRECTE