Extraction Des Param Tres Et Domaine De Validit Du Mod Le D Un Composant De Puissance

The conducted EMI in DC-DC converters

This book presents the phenomena of conducted electromagnetic interference (EMI) generation in DC-DC converters. The measurement and simulation are used to analyze the impact of the most important parameters on the character, level and propagation path of interference. In this book, the analysis of the interference generation and propagation is presented on the example of three basic converters. The wide banded behavior of all components is presented including basic elements and its parasitic and the connection layout. It focuses on the influence of parasitic components on the nature of interference in the frequency domain up to 30MHz was carried out. The book includes practical design and operation tips that will help to reduce the EMI. It provides useful knowledge about designing of the converters with the low level of outgoing EMI. They were obtained in original research and published in scientific articles by the author. Piotr Musznicki: Gdansk University of Technology / Faculty of Electrical and Control Engineering Buy this book on degruyter.com - www.degruyter.com/view/product/510353

Extraction des paramètres et domaine de validité du modèle d'un composant de puissance

L'étude porte sur l'analyse détaillée des comportements des composants de puissance, incluant la diode PiN, le transistor MOSFET et l'IGBT, dans une cellule de commutation avec une source de courant et une source de tension. Cela nous permet d'obtenir les grandeurs typiques représentant les courbes électriques pendant les commutations de ces composants. Pour faciliter la caractérisation, nous avons automatisé l'acquisition des grandeurs électriques en commutation, basé sur le bus GPIB. Le langage JAVA de part son adaptabilité à s'exécuter sous le système Unix et Windows 98 a été adopté. Une procédure d'identification automatique basée sur les méthodes d'optimisation est développée. Nous avons pu ainsi confronter les résultats expérimentaux avec les résultats déterminés par le simulateur de circuits PACTE. L'autre partie du travail a consisté à développer une nouvelle procédure de validation du couple modèle-paramètres. Il s'agit de fournir une carte du domaine de validité pour vérifier un bon accord entre l'expérience et la simulation dans un très grand nombre de conditions du fonctionnement de composant de puissance. Cette méthode est inédite et changera le processus de développement d'un modèle de composants de puissance. En appliquant cette procédure à la diode PiN, nous avons montré les avantages et les inconvénients entre le simulateur DESSIS utilisant la méthode des éléments finis et PACTE. Les résultats montrent que cette méthode de validation est aussi adapte aux pour les composants comme le MOSFET de puissance et l'IGBT.

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