Conception Et Realisation D Un Reflectometre A Faible Coherence Application A La Caracterisation De Composants Optoelectroniques Actifs

Annales des télécommunications

Conception et realisation d'un reflectometre a faible coherence : application a la caracterisation de composants optoelectroniques actifs

CONCEPTION ET REALISATION D'UN REFLECTOMETRE A FAIBLE COHERENCE

LE SUJET DE LA THESE EST LA DETERMINATION DE PARAMETRES CARACTERISTIQUES DES LASERS A SEMI-CONDUCTEUR ET DES COMPOSANTS ET CIRCUITS OPTOELECTRONIQUES EN UTILISANT LA REFLECTOMETRIE A FAIBLE COHERENCE. LA PREMIERE PARTIE ETAIT LA CONCEPTION ET LA REALISATION DU REFLECTOMETRE A FAIBLE COHERENCE PERMETTANT CETTE ANALYSE. LA DEUXIEME PARTIE DE LA THESE ETAIT L'INVESTIGATION DE LASERS A SEMI-CONDUCTEUR, DONT PLUSIEURS A REACTION DISTRIBUEE. DU AU RESEAU COMPRIS DANS CES LASERS, LE SPECTRE DE LA LUMIERE REFLECHIE EST FORTEMENT FILTRE. CE FILTRAGE SPECTRAL INTERNE A L'OBJET SOUS TEST RENDANT L'INTERPRETATION DU REFLECTOGRAMME TRES DIFFICILE, UNE THEORIE GENERALE DE LA REFLECTOMETRIE A FAIBLE COHERENCE EST DEVELOPPEE. CETTE THEORIE PREND EN COMPTE ENTRE AUTRES LES EFFETS DE FILTRAGE SPECTRAL. ELLE PERMET DE SIMULER DES REFLECTOGRAMMES SUR ORDINATEUR, ET LES RESULTATS SONT COMPARES AUX REFLECTOGRAMMES MESURES. CETTE COMPARAISON DES RESULTATS SIMULES AVEC LES RESULTATS MESURES DONNE SOUVENT DES INFORMATIONS INTERESSANTES SUR CERTAINS PARAMETRES PHYSIQUES DU LASER SOUS TEST. LA VISIBILITE DE CERTAINES STRUCTURES OBSERVABLES DANS LE REFLECTOGRAMME S'AMELIORE LORSQUE LE SPECTRE DE LA LUMIERE DE TEST, QUI A PRIORI EST LARGE BANDE, EST REDUIT PAR UN FILTRAGE. UN CHAPITRE DE CETTE THESE EST EN CONSEQUENCE CONSACRE A L'INVESTIGATION DE DIFFERENTS TYPES DE FILTRES OPTIQUES. LES RESULTATS OBTENUS INCLUENT ENTRE AUTRES LA DETERMINATION DES INDICES DE REFRACTION DE GROUPE DU GUIDE D'ONDE ET DU SUBSTRAT D'UN LASER A SEMI-CONDUCTEUR, LA MESURE DE LA DIFFERENCE ENTRE LES INDICES DE REFRACTION DE GROUPE DE DEUX MODES DE POLARISATION, LA DETERMINATION DU COURANT DE FUITE INTERELECTRODE DANS DES LASERS MULTIELECTRODES, AINSI QUE LA MESURE DE LA POSITION D'UN EVENTUEL SAUT DE PHASE DANS DES LASERS A CONTRE-REACTION DISTRIBUEE.